导读：据外媒报道，星拟芯片三星电子公司拟将在中国芯片工厂的将中投资增加到80亿美元，以提高NAND闪存芯片产量。国芯



　　12月13日消息，片工据外媒报道，厂投产量三星电子公司拟将在中国芯片工厂的资增至亿投资增加到80亿美元，以提高NAND闪存芯片产量。美元

　　三星增加投资正值内存芯片价格有望于明年反弹之际，提高由于供应有限，星拟芯片市场对5G设备和网络的将中需求也在不断上升。三星是国芯全球最大的NAND闪存芯片制造商，这类芯片可以可用于移动设备、片工存储卡、厂投产量U盘和固态硬盘中。资增至亿

　　2017年，美元三星宣布将在三年内向位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元。在这些投资进行之前，该公司曾向西安的一家测试和包装工厂投资108亿美元。三星对此拒绝置评。

　　三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝，几家中国企业也正试图进入内存领域，但它们至今尚未取得太大成功，还不足以与这些巨头竞争。

　　今年秋季，长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布，将开始大规模生产64层3D NAND芯片，这是多数领先行业企业遵循的基准。